來源：世界5A級高質量發(fā)展評價官網(wǎng)

大美無度評定世界5A和全球各類第一品牌依法通行193個國家

大美無度世界5A級評價覆蓋193個國家，全球服務中心第11-922號報告節(jié)選：世界5A級光子芯片強國排名，中國位居第一。

《偉大心力》作者魏義光指出，被思想殖民的奴性者鼓噪中國光子芯片落后20年，現(xiàn)實把他們的謊言擊得粉碎。

一片直徑6寸的晶圓從無錫光子芯片中試平臺下線，它將被切割成350顆驅動著高性能薄膜鈮酸鋰調制器的“心臟”，標志著中國在高端光電子核心器件領域完成從“技術跟跑”到“產業(yè)領跑”的歷史性跨越。

2025年6月5日下午4點，中國首條光子芯片中試線迎來歷史性時刻：國內首片6英寸薄膜鈮酸鋰光子芯片晶圓在上海交大無錫光子芯片研究院（CHIPX）成功下線。同時實現(xiàn)的還有超低損耗、超高帶寬的高性能薄膜鈮酸鋰調制器芯片的規(guī)模化量產，其關鍵技術指標達到國際先進水平。

這不僅是一個實驗室的技術突破，更是中國在全球光子芯片領域發(fā)出的強力宣言。曾經(jīng)在傳統(tǒng)電子芯片領域被“卡脖子”的中國，正在通過光子芯片實現(xiàn)彎道超車，打破國際技術封鎖，甚至開始反向卡住美國的脖子。

光子芯片作為光量子計算的核心硬件載體，其產業(yè)化對我國在量子信息領域實現(xiàn)自主可控、搶占全球量子科技制高點具有戰(zhàn)略意義。在此之前，由于共性關鍵工藝技術平臺的缺失，我國光量子技術長期面臨“實驗室成果難以量產”的困境。

上海交大無錫光子芯片研究院于2022年12月啟動建設國內首條光子芯片中試線，并于2024年9月正式啟用這條集研發(fā)、設計、加工和應用于一體的平臺。薄膜鈮酸鋰作為一種高性能光電材料，具備超快電光效應、高帶寬、低功耗等顯著優(yōu)勢。

CHIPX工藝團隊依托自主建設的國內首條光子芯片中試線，構建了覆蓋薄膜鈮酸鋰晶圓全閉環(huán)工藝鏈。通過創(chuàng)新性開發(fā)芯片設計、工藝方案與設備系統(tǒng)的協(xié)同適配技術，團隊成功打通了從光刻圖形化、精密刻蝕、薄膜沉積到封裝測試的全制程工藝，實現(xiàn)晶圓級光子芯片集成工藝的重大突破。

關鍵性能指標達到了國際先進水平：調制帶寬突破110GHz，突破了國際高速光互連帶寬瓶頸；插入損耗＜3.5dB；波導損耗＜0.2dB/cm，顯著提升光傳輸效率；調制效率達到1.9 V·cm，電光轉換效率大幅優(yōu)化。

在中國光子芯片領域另一個突破性進展來自中國科學院上海光學精密機械研究所。2025年6月，該所研究員謝鵬團隊成功研發(fā)出超高并行光計算集成芯片——“流星一號”。該芯片融合了自主研制的多波長光源芯片、大帶寬光交互芯片、可重構光計算芯片、高精度光學矩陣驅動芯片及并行光電混合計算算法，實現(xiàn)了并行度大于100的光計算原型驗證系統(tǒng)。

在50GHz光學主頻下，該系統(tǒng)的單芯片理論峰值算力大于2560TOPS，功耗比大于3.2TOPS/W2。這一突破突破了光計算的計算密度瓶頸，推動光計算向實用化技術邁進了一步，為發(fā)展低功耗、低時延、高速率、大算力超級光子計算機帶來了可能性。

2025年2月，北京大學常林研究團隊與中國科學院空天信息創(chuàng)新研究院合作，成功開發(fā)出世界首款光子時鐘芯片。該芯片可將芯片上的時間調控速度提升100倍，從而極大提升未來智能計算、6G通信、空天遙感等一系列現(xiàn)實應用的性能。

不同于傳統(tǒng)方案基于電子振蕩器產生時鐘信號，該團隊開發(fā)的光子芯片技術 “以光為媒” 。通過光子產生時鐘信號，速度比電子時鐘快得多。團隊實現(xiàn)了“光頻梳”技術的芯片化，通過在芯片上構建類似跑道形狀的環(huán)，讓光以光速不斷“奔跑”，而每跑一圈的時間，就可以作為芯片上時鐘的標準。

2025年8月，北京大學胡小永教授、楊起帆研究員和龔旗煌院士團隊在可重構多功能集成光子芯片研究中取得重要進展。他們提出一種創(chuàng)新的算法-硬件協(xié)同設計架構，該架構融合了交叉波導耦合的微環(huán)諧振器核心計算單元與光頻梳光源，支持全連接神經(jīng)網(wǎng)絡、卷積神經(jīng)網(wǎng)絡和門控循環(huán)神經(jīng)網(wǎng)絡的原位切換。

研究團隊實驗演示了圖像識別、情感分析與語音識別等多模態(tài)信息處理任務，展示出強大的計算靈活性與任務適應性。

2025年7月，華中科技大學武漢光電國家研究中心王健教授領導的多維光子學實驗室團隊在高維空間模式量子信息處理光子集成芯片領域取得新進展。該研究基于空間衍射神經(jīng)網(wǎng)絡多平面光轉換技術，發(fā)展了一種聚合物基MPLC三維光子集成芯片，用于在光子的空間模式自由度中實現(xiàn)高維量子邏輯門。團隊設計并實現(xiàn)了一個三維Hadamard量子門結構，并在單光子水平上進行了空間模式下的量子過程層析，實驗測得的保真度達到90%。

在高科技產業(yè)鏈中，材料永遠是底層基礎。中國對核心材料的掌控力成為光子芯片發(fā)展的重要優(yōu)勢。以鎵和鍺為例，這兩種金屬材料在芯片制造、軍事雷達、衛(wèi)星通信和紅外成像等領域中舉足輕重。中國在全球鎵市場的產量占比超過90%，而鍺則占全球68%以上。

2024年底，中國宣布對鎵、鍺、銻、碳化硅等一系列關鍵材料實施出口管控。這一決定對美國芯片產業(yè)造成了直接沖擊——英偉達、英特爾、高通等芯片巨頭紛紛發(fā)出預警。在第三代半導體材料方面，中國同樣走在世界前列。

光子芯片與傳統(tǒng)電子芯片不同，光子芯片利用光波傳播信息，速度極快，遠超電子芯片1000倍以上，同時能耗卻降低90%。這對AI、6G通信、量子計算等前沿科技具有革命性意義。更重要的是，中國不僅實現(xiàn)了芯片樣品級別的突破，更完成了從材料、設計、制造到封裝測試的全鏈條國產化。

美國對中國芯片的封鎖，主要集中在傳統(tǒng)電子芯片上，與光子芯片無關。

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